3D-Micromac為microDICE TLS激光系統(tǒng)引入了新的Clean Scribe技術(shù)

　　3D Micromac，在激光微加工和卷對(duì)卷式激光加工為光伏行業(yè)，醫(yī)療技術(shù)和電子制造系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商，已經(jīng)推出了新的專利正在申請(qǐng)今天抄寫(xiě)清潔技術(shù)。

　　Clean Scribe技術(shù)是一種可以實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓無(wú)顆粒激光洗滌的工藝 - 無(wú)需使用昂貴的晶圓保護(hù)涂層。清理抄寫(xiě)技術(shù)在3D Micromac的microDICE?-Lasermikrobearbeitungssystem其中（熱激光束分離）用于使用TLS-切割?工藝的晶片的快速，成本有效的無(wú)缺陷的分離成芯片。吞吐量不會(huì)受到使用新型Clean-Scribe技術(shù)的影響。斯圖加特激光加工展覽會(huì)

　　“混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車，提高燃油性能和駕駛員的安全使用電子車輛系統(tǒng)中增加的消費(fèi)需求也推動(dòng)了對(duì)空氣中的SiC基器件的需求，”漢斯 - 烏爾里希·Zühlke，產(chǎn)品經(jīng)理在3D Micromac說(shuō)明。“實(shí)現(xiàn)電力電子元件生產(chǎn)的最高收益是首要任務(wù)。同時(shí)降低SiC電力電子制造工藝的成本，我們正在推動(dòng)這些先進(jìn)技術(shù)的推廣。我們新的Clean Scribe技術(shù)是3D Micromac愿意繼續(xù)開(kāi)發(fā)我們的TLS切割工藝以獲得更高收益的最新示例，

　　激光劃片技術(shù)的新途徑

　　劃線是切割晶圓的基本方法。3D-Micromac的激光微加工（TLS）是一個(gè)兩步過(guò)程，首先通過(guò)切割線中的激光燒蝕插入初始劃線。通常情況下，這種“干式”激光劃片過(guò)程會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生少量顆粒。在第二步中，CW激光器沿著該劃線加熱材料。同時(shí)，去離子水（DI）氣溶膠冷卻晶片表面。這導(dǎo)致了晶片的分裂。

　　為了提高間隙的可靠性和直線度，可以在切割道路的整個(gè)長(zhǎng)度上將初始劃線插入材料中。這種一致的劃線可以導(dǎo)致更高的顆粒數(shù)量，對(duì)于某些特別苛刻的SiC應(yīng)用來(lái)說(shuō)這可能太高。為避免這種情況，早些時(shí)候激光劃線的速度可能會(huì)受到抑制，或者施加額外的晶片涂層以避免顆粒落在切割線上。后者增加了分離過(guò)程的復(fù)雜性并且還導(dǎo)致更高的制造成本。

　　3D Micromac的新的清潔抄寫(xiě)技術(shù)使用申請(qǐng)專利的激光劃片工藝，其中聚酰亞胺和金屬顆粒消除在切割道和一個(gè)實(shí)際上不含粒子的表面 - 無(wú)需使用昂貴的保護(hù)涂層 - 保證。清潔抄寫(xiě)技術(shù)取代的“干” Laserscribe，通過(guò)利用使用去離子（DI）水的極少量（小于20毫升/分鐘），以除去激光燒蝕過(guò)程中形成的粒子的氣溶膠噴霧。由于TLS工藝也使用去離子水分離晶圓，因此不需要額外的系統(tǒng)或消耗品進(jìn)行清潔劃片技術(shù)。Clean Scribe可以實(shí)現(xiàn)這些結(jié)果，而不會(huì)產(chǎn)生吞吐量損失 - 因此可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒300毫米的分離速度。因此給出了3D-Micromac的microDICE系統(tǒng)中Clean Scribes與TLS方法的兼容性。

　　與傳統(tǒng)的晶圓分離技術(shù)相比，TLS Dicing保證了更高的產(chǎn)量，更高的產(chǎn)量和更強(qiáng)大的功能。因此，與機(jī)械圓鋸相比，TLS的吞吐量高達(dá)15倍?；诩す獾腡LS工藝非接觸式工作，無(wú)需接觸工具，不需要昂貴的耗材進(jìn)行表面清潔。這樣可以在SiC器件的制造過(guò)程中節(jié)省大量成本。

　　與所述清潔抄寫(xiě)技術(shù)組合，所述TLS-切割完美的碳化硅的分離碳化硅（SiC），用于與傳統(tǒng)技術(shù)切割晶片合適合適由特別硬而脆的材料僅部分。因此，3D-Micromac的microDICE系統(tǒng)是用于處理電力電子，太陽(yáng)能逆變器和光電子的基于SiC的組件的不可或缺的工具。